JCS12N65F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS12N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 69.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm

Encapsulados: TO-220MF

 Búsqueda de reemplazo de JCS12N65F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JCS12N65F datasheet

 ..1. Size:543K  jilin sino
 jcs12n65f.pdf pdf_icon

JCS12N65F

 0.1. Size:1489K  jilin sino
 jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf pdf_icon

JCS12N65F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 0.2. Size:1410K  jilin sino
 jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf pdf_icon

JCS12N65F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:1140K  1
 jcs12n65t.pdf pdf_icon

JCS12N65F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson @Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... KNG3703A, JCS10N70CH, JCS10N70FH, JCS10N80F, JCS110N07, JCS12N60BT, JCS12N60ST, JCS12N65BT, STP80NF70, JCS12N65ST, JCS13N50BC, JCS13N50CC, JCS13N50FC, JCS13N50SC, JCS1404C, JCS1404F, JCS15N60BH