JCS12N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS12N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm

Тип корпуса: TO-220MF

Аналог (замена) для JCS12N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS12N65F даташит

 ..1. Size:543K  jilin sino
 jcs12n65f.pdf pdf_icon

JCS12N65F

 0.1. Size:1489K  jilin sino
 jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf pdf_icon

JCS12N65F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 0.2. Size:1410K  jilin sino
 jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf pdf_icon

JCS12N65F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:1140K  1
 jcs12n65t.pdf pdf_icon

JCS12N65F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson @Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KNG3703A, JCS10N70CH, JCS10N70FH, JCS10N80F, JCS110N07, JCS12N60BT, JCS12N60ST, JCS12N65BT, STP80NF70, JCS12N65ST, JCS13N50BC, JCS13N50CC, JCS13N50FC, JCS13N50SC, JCS1404C, JCS1404F, JCS15N60BH