JCS19N20F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS19N20F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 104 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 181 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220MF
JCS19N20F Datasheet (PDF)
jcs19n20c jcs19n20f.pdf

N N- CHANNEL MOSFET R JCS19N20 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge
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History: F5017H | ME50N02 | IXTZ42N20MB
History: F5017H | ME50N02 | IXTZ42N20MB



Liste
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