JCS1N70TC Todos los transistores

 

JCS1N70TC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS1N70TC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

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JCS1N70TC Datasheet (PDF)

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JCS1N70TC
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N RN-CHANNEL MOSFET JCS1N70TC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 1A VDSS 700 V Rdson 18 @Vgs=10VQg 4.41nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast Power factor correction

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History: R5005CNX

 

 
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