JCS1N70TC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS1N70TC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 4.17 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 19.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 12.6 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
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JCS1N70TC Datasheet (PDF)
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N RN-CHANNEL MOSFET JCS1N70TC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 1A VDSS 700 V Rdson 18 @Vgs=10VQg 4.41nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast Power factor correction
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