Справочник MOSFET. JCS1N70TC

 

JCS1N70TC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS1N70TC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 18 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для JCS1N70TC

 

 

JCS1N70TC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  jilin sino
 jcs1n70tc.pdf

JCS1N70TC JCS1N70TC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1N70TC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 1A VDSS 700 V Rdson 18 @Vgs=10VQg 4.41nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast Power factor correction

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top