JCS1N70TC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: JCS1N70TC
   Маркировка: 1N70T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.41 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 18 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам