JCS1N70TC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS1N70TC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 18 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для JCS1N70TC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS1N70TC даташит

 ..1. Size:496K  jilin sino
 jcs1n70tc.pdf pdf_icon

JCS1N70TC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS1N70TC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 1A VDSS 700 V Rdson 18 @Vgs=10V Qg 4.41nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast Power factor correction

Другие IGBT... JCS15N60SH, JCS15N65FH, JCS15N70C, JCS15N70F, JCS160N08, JCS160N08I, JCS19N20C, JCS19N20F, IRFZ24N, JCS1SN60RC, JCS1SN60TC, JCS1SN60VC, JCS20N60FH, JCS20N65FH, JCS20N65WH, JCS2N60CB, JCS2N60FB