JCS20N65FH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS20N65FH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-220MF

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JCS20N65FH datasheet

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JCS20N65FH

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JCS20N65FH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650V Rdson-max 0.42 Vgs=10V Qg-Typ 64.6nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

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JCS20N65FH

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JCS20N65FH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N60FH Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 600V Rdson-max 0.39 Vgs=10V Qg-Typ 50nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

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