STH6N100FI Todos los transistores

 

STH6N100FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH6N100FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT218
 

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STH6N100FI datasheet

 6.1. Size:365K  st
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STH6N100FI

STH6N100 STH6N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH6N100 1000 V

 9.1. Size:346K  1
 sth6na80 sth6na80fi.pdf pdf_icon

STH6N100FI

 9.2. Size:706K  st
 sth6n95k5-2.pdf pdf_icon

STH6N100FI

STH6N95K5-2 N-channel 950 V, 1 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH6N95K5-2 950 V 1.25 6 A 110 W Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicati

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