JCS4N65FB Todos los transistores

 

JCS4N65FB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS4N65FB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220MF
 

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JCS4N65FB Datasheet (PDF)

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JCS4N65FB

N RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 ..2. Size:1598K  jilin sino
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JCS4N65FB

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 650 V RdsonVgs=10V 2.4 -Max Qg-Typ 16.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP

 6.1. Size:1447K  jilin sino
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R JCS4N65E JCS4N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_max 2.5 Vgs=10V Qg-typ 11.9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low gate

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JCS4N65FB

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65C \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS RdsonVgs=10V 2.5 9nC Qg APPLICATIONS (u High frequency switching

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