JCS4N65FB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS4N65FB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220MF

Аналог (замена) для JCS4N65FB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS4N65FB даташит

 ..1. Size:831K  jilin sino
 jcs4n65vb jcs4n65rb jcs4n65cb jcs4n65fb.pdf pdf_icon

JCS4N65FB

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 ..2. Size:1598K  jilin sino
 jcs4n65vb jcs4n65rb jcs4n65bb jcs4n65sb jcs4n65cb jcs4n65fb.pdf pdf_icon

JCS4N65FB

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson Vgs=10V 2.4 -Max Qg-Typ 16.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP

 6.1. Size:1447K  jilin sino
 jcs4n65f jcs4n65v jcs4n65r jcs4n65b jcs4n65m jcs4n65mf.pdf pdf_icon

JCS4N65FB

R JCS4N65E JCS4N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_max 2.5 Vgs=10V Qg-typ 11.9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low gate

 6.2. Size:779K  jilin sino
 jcs4n65f-c-r-v.pdf pdf_icon

JCS4N65FB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS3AN150CA, JCS3AN150FA, JCS3AN150SA, JCS3AN150WA, JCS4N60SB, JCS4N65B, JCS4N65BB, JCS4N65CB, IRFP260N, JCS4N65M, JCS4N65MF, JCS4N65RB, JCS4N65SB, JCS4N65VB, JCS4N70B, JCS4N70C, JCS4N70F