JCS4N65M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS4N65M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 122 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 62 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-126
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JCS4N65M Datasheet (PDF)
jcs4n65f jcs4n65v jcs4n65r jcs4n65b jcs4n65m jcs4n65mf.pdf
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RJCS4N65C JCS4N65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_Typ 2.1 Vgs=1Max 2.6 0V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switchingmode power supply Electronic ballastLED LED power supply FEATURES Low g
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N RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS
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N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65C \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS RdsonVgs=10V 2.5 9nC Qg APPLICATIONS (u High frequency switching
jcs4n65vb jcs4n65rb jcs4n65bb jcs4n65sb jcs4n65cb jcs4n65fb.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 650 V RdsonVgs=10V 2.4 -Max Qg-Typ 16.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP
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