JCS4N65VB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS4N65VB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 117.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251-S1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS4N65VB

JCS4N65VB Datasheet (PDF)

..1. Size:831K jilin sino
jcs4n65vb jcs4n65rb jcs4n65cb jcs4n65fb.pdf

N RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

..2. Size:1598K jilin sino
jcs4n65vb jcs4n65rb jcs4n65bb jcs4n65sb jcs4n65cb jcs4n65fb.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 650 V RdsonVgs=10V 2.4 -Max Qg-Typ 16.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP

6.1. Size:1447K jilin sino
jcs4n65f jcs4n65v jcs4n65r jcs4n65b jcs4n65m jcs4n65mf.pdf

R JCS4N65E JCS4N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_max 2.5 Vgs=10V Qg-typ 11.9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low gate

6.2. Size:1866K jilin sino
jcs4n65v jcs4n65r jcs4n65c jcs4n65f jcs4n65b jcs4n65m jcs4n65mf.pdf

RJCS4N65C JCS4N65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_Typ 2.1 Vgs=1Max 2.6 0V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switchingmode power supply Electronic ballastLED LED power supply FEATURES Low g

7.1. Size:779K jilin sino
jcs4n65f-c-r-v.pdf

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65C \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS RdsonVgs=10V 2.5 9nC Qg APPLICATIONS (u High frequency switching

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History: JCS20N60FH | IRFS450B

Liste

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