JCS50N06CH Todos los transistores

 

JCS50N06CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS50N06CH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS50N06CH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1911K  jilin sino
 jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf pdf_icon

JCS50N06CH

N RN-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

 8.1. Size:1386K  jilin sino
 jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf pdf_icon

JCS50N06CH

R JCS50N20T JCS50N20T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50A VDSS 200 V Rdson-max 50m @Vgs=10V Qg-typ 90nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEATURES

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History: BUK454-200A | CEB6030L | STF34N65M5 | JCS12N65SEI | KHB2D0N60F | AP72T02GH | SFW097N200C3

 

 
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