JCS50N06CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS50N06CH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS50N06CH

JCS50N06CH Datasheet (PDF)

..1. Size:1911K jilin sino
jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf

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8.1. Size:1386K jilin sino
jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf

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Liste

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