JCS50N06CH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JCS50N06CH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO-220C
Аналог (замена) для JCS50N06CH
JCS50N06CH Datasheet (PDF)
jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge
jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf

R JCS50N20T JCS50N20T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50A VDSS 200 V Rdson-max 50m @Vgs=10V Qg-typ 90nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEATURES
Другие MOSFET... JCS4N80F , JCS4N80FH , JCS4N80R , JCS4N80S , JCS4N80V , JCS4N90FH , JCS4N90RH , JCS4N90VH , 2SK3568 , JCS50N06FH , JCS50N06RH , JCS50N06VH , JCS50N20ABT , JCS50N20WT , JCS540BT , JCS540CT , JCS540FT .
History: BLM08P02-R | IRFH5406PBF | AP2327GN-HF
History: BLM08P02-R | IRFH5406PBF | AP2327GN-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor