STH7N90FI Todos los transistores

 

STH7N90FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH7N90FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT218
     - Selección de transistores por parámetros

 

STH7N90FI Datasheet (PDF)

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sth7n90 sth7n90fi.pdf pdf_icon

STH7N90FI

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sth7na60 sth7na60fi.pdf pdf_icon

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STH7N90FI

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

 9.3. Size:340K  1
sth7na80 sth7na80fi.pdf pdf_icon

STH7N90FI

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History: STP33N65M2 | STP55N06L | UT20N03L-TN3-R | RFL1N10L

 

 
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