STH80N05 Todos los transistores

 

STH80N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH80N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 130 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 900 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO218
 

 Búsqueda de reemplazo de STH80N05 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STH80N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  1
 sth80n05 sth80n05fi stw80n05.pdf pdf_icon

STH80N05

 8.1. Size:621K  st
 sth80n10lf7-2ag.pdf pdf_icon

STH80N05

STH80N10LF7-2AGDatasheetAutomotive-grade N-channel 100 V, 7 m typ., 80 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 packageFeaturesTABVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTH80N10LF7-2AG 100 V 10 m 80 A 110 W231 AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on) on the marketH2PAK-2 Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunityD(TA

 8.2. Size:1361K  st
 std80n10f7 stf80n10f7 sth80n10f7-2 stp80n10f7.pdf pdf_icon

STH80N05

STD80N10F7, STF80N10F7, STH80N10F7-2, STP80N10F7N-channel 100 V, 0.008 typ., 80 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220Datasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 3Order codes ID PTOTTJmax max1DPAK 3STD80N10F7 0.01 70 A 85 W21TO-220FP STF80N10F7 0.01 40 A 30 W100 VTABTAB STH80N10F7-2 0.0095 80 A

 8.3. Size:329K  inchange semiconductor
 sth80n10lf7.pdf pdf_icon

STH80N05

isc N-Channel MOSFET Transistor STH80N10LF7FEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 10m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STH75N06 , STH75N06FI , STH7N90 , STH7N90FI , STH7NA60 , STH7NA60FI , STH7NA80 , STH7NA80FI , IRF9640 , STH80N05FI , STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI , STH9N80 , STH9N80FI , STH9NA60 .

History: IXFK110N07 | KD2306A

 

 
Back to Top

 


 
.