JCS7HN60F Todos los transistores

 

JCS7HN60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS7HN60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 251 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220MF
 

 Búsqueda de reemplazo de JCS7HN60F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JCS7HN60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1818K  jilin sino
 jcs7hn60v jcs7hn60r jcs7hn60b jcs7hn60s jcs7hn60c jcs7hn60f.pdf pdf_icon

JCS7HN60F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.3 @Vgs=10V Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.1. Size:1900K  jilin sino
 jcs7hn65v jcs7hn65r jcs7hn65b jcs7hn65s jcs7hn65c jcs7hn65f.pdf pdf_icon

JCS7HN60F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max Typ 1.05 Vgs=10V Max 1.35 Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED po

Otros transistores... JCS730R , JCS730RC , JCS730S , JCS730SC , JCS730V , JCS730VC , JCS7HN60B , JCS7HN60C , IRFZ44N , JCS7HN60R , JCS7HN60S , JCS7HN60V , JCS7HN65B , JCS7HN65C , JCS7HN65F , JCS7HN65R , JCS7HN65S .

History: KO3419 | MTB60P06H8 | TSM4436CS

 

 
Back to Top

 


 
.