JCS7HN65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS7HN65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 251 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
     - Selección de transistores por parámetros