JCS7HN65R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS7HN65R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 251 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS7HN65R

JCS7HN65R Datasheet (PDF)

..1. Size:1900K jilin sino
jcs7hn65v jcs7hn65r jcs7hn65b jcs7hn65s jcs7hn65c jcs7hn65f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max Typ 1.05 Vgs=10V Max 1.35 Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED po

7.1. Size:1818K jilin sino
jcs7hn60v jcs7hn60r jcs7hn60b jcs7hn60s jcs7hn60c jcs7hn60f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.3 @Vgs=10V Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

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Liste

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