JCS7HN65V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS7HN65V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 32 nC
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 251 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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JCS7HN65V Datasheet (PDF)
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N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max Typ 1.05 Vgs=10V Max 1.35 Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED po
jcs7hn60v jcs7hn60r jcs7hn60b jcs7hn60s jcs7hn60c jcs7hn60f.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.3 @Vgs=10V Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
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