JCS7N80SH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS7N80SH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO-263

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JCS7N80SH datasheet

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N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N80H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 800V Rdson-max 1.6 Vgs=10V Qg-Typ 39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED po

7.1. Size:667K jilin sino
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N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 700 V Rdson-max 1.6 @Vgs=10V Qg-typ 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATUR

9.2. Size:755K jilin sino
jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon