STH8N80FI Todos los transistores

 

STH8N80FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH8N80FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT218
 

 Búsqueda de reemplazo de STH8N80FI MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STH8N80FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  1
 sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdf pdf_icon

STH8N80FI

 9.1. Size:344K  1
 sth8na60 sth8na60fi.pdf pdf_icon

STH8N80FI

 9.2. Size:323K  st
 stw8nb90 sth8nb90fi.pdf pdf_icon

STH8N80FI

STW8NB90STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB90 900 V

 9.3. Size:128K  njs
 sth8na80fi stw8na80.pdf pdf_icon

STH8N80FI

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STH7N90FI , STH7NA60 , STH7NA60FI , STH7NA80 , STH7NA80FI , STH80N05 , STH80N05FI , STH8N80 , 2N7002 , STH8NA60 , STH8NA60FI , STH9N80 , STH9N80FI , STH9NA60 , STHV102 , STHV102FI , STHV82 .

 

 
Back to Top

 


 
.