JCS9N90BT Todos los transistores

 

JCS9N90BT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS9N90BT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 123.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 116 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262N
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS9N90BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1487K  jilin sino
 jcs9n90ft jcs9n90wt jcs9n90abt jcs9n90bt.pdf pdf_icon

JCS9N90BT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N90T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson-Max 1.35 Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

 7.1. Size:898K  jilin sino
 jcs9n90ft.pdf pdf_icon

JCS9N90BT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N90FT Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson 1.35 @Vgs=10VQg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

 8.1. Size:527K  jilin sino
 jcs9n95fa jcs9n95ca jcs9n95wa.pdf pdf_icon

JCS9N90BT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N95A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0 A VDSS 950 V RdsonVgs=10V 1.3 -MAX Qg-Typ 39.92 APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supplie

 9.1. Size:1721K  jilin sino
 jcs9n50ct jcs9n50ft.pdf pdf_icon

JCS9N90BT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N50T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 29 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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History: CEM9936A | BSP322P | LSH65R1K5HT

 

 
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