JS65R170ABM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JS65R170ABM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: TO-3PB

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JS65R170ABM datasheet

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JS65R170ABM

Otros transistores... JCS9N50FC, JCS9N50FT, JCS9N50RC, JCS9N50VC, JCS9N90ABT, JCS9N90BT, JCS9N90FT, JCS9N90WT, IRF1010E, JS65R170BM, JS65R170CM, JS65R170FM, JS65R170SM, JS65R170WM, KNH2910A, KNH3206A, KNH3208A