JS65R170ABM Todos los transistores

 

JS65R170ABM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JS65R170ABM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PB
 

 Búsqueda de reemplazo de JS65R170ABM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JS65R170ABM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1822K  jilin sino
 js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdf pdf_icon

JS65R170ABM

N R N-CHANNEL MOSFETJS65R170M Package MAIN CHARACTERISTICS 20A ID 650 V VDSS Rdson-max0.17 @Vgs=10V 38.5 nC Qg-typ APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Otros transistores... JCS9N50FC , JCS9N50FT , JCS9N50RC , JCS9N50VC , JCS9N90ABT , JCS9N90BT , JCS9N90FT , JCS9N90WT , IRF530 , JS65R170BM , JS65R170CM , JS65R170FM , JS65R170SM , JS65R170WM , KNH2910A , KNH3206A , KNH3208A .

History: SWHA40N06V | KTK597TV | IRLZ34NLPBF | IRL540NPBF | AOD402 | TMA10N60H | SIRA10DP

 

 
Back to Top

 


 
.