JS65R170ABM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JS65R170ABM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO-3PB

Аналог (замена) для JS65R170ABM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JS65R170ABM даташит

 ..1. Size:1822K  jilin sino
 js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdf pdf_icon

JS65R170ABM

Другие IGBT... JCS9N50FC, JCS9N50FT, JCS9N50RC, JCS9N50VC, JCS9N90ABT, JCS9N90BT, JCS9N90FT, JCS9N90WT, IRF1010E, JS65R170BM, JS65R170CM, JS65R170FM, JS65R170SM, JS65R170WM, KNH2910A, KNH3206A, KNH3208A