STH8NA60FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH8NA60FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 VQgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT218
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH8NA60FI
STH8NA60FI Datasheet (PDF)
stw8nb90 sth8nb90fi.pdf
STW8NB90STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB90 900 V
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