JS65R170WM Todos los transistores

 

JS65R170WM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JS65R170WM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JS65R170WM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1822K  jilin sino
 js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdf pdf_icon

JS65R170WM

N R N-CHANNEL MOSFETJS65R170M Package MAIN CHARACTERISTICS 20A ID 650 V VDSS Rdson-max0.17 @Vgs=10V 38.5 nC Qg-typ APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Otros transistores... JCS9N90BT , JCS9N90FT , JCS9N90WT , JS65R170ABM , JS65R170BM , JS65R170CM , JS65R170FM , JS65R170SM , IRFP450 , KNH2910A , KNH3206A , KNH3208A , KNH3306A , KNH3725A , KNH7150A , KNH7650A , KNH9120A .

History: BR80N08A | BSC042N03MSG

 

 
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