JS65R170WM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JS65R170WM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для JS65R170WM
JS65R170WM Datasheet (PDF)
js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdf

N R N-CHANNEL MOSFETJS65R170M Package MAIN CHARACTERISTICS 20A ID 650 V VDSS Rdson-max0.17 @Vgs=10V 38.5 nC Qg-typ APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
Другие MOSFET... JCS9N90BT , JCS9N90FT , JCS9N90WT , JS65R170ABM , JS65R170BM , JS65R170CM , JS65R170FM , JS65R170SM , IRFP450 , KNH2910A , KNH3206A , KNH3208A , KNH3306A , KNH3725A , KNH7150A , KNH7650A , KNH9120A .
History: DMN6068LK3-13 | IXFT140N10P | IPI076N15N5 | HY4306A | APT6010B2FLL | 2SK3556-01S | DMC3018LSD-13
History: DMN6068LK3-13 | IXFT140N10P | IPI076N15N5 | HY4306A | APT6010B2FLL | 2SK3556-01S | DMC3018LSD-13



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g