Справочник MOSFET. JS65R170WM

 

JS65R170WM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JS65R170WM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JS65R170WM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1822K  jilin sino
js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdfpdf_icon

JS65R170WM

N R N-CHANNEL MOSFETJS65R170M Package MAIN CHARACTERISTICS 20A ID 650 V VDSS Rdson-max0.17 @Vgs=10V 38.5 nC Qg-typ APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUK7E2R3-40E | IPLK60R360PFD7 | SI5403DC | RFD3N08LSM | MCP20N70 | HM2302BJR | SI5482DU

 

 
Back to Top

 


 
.