KNH3206A Todos los transistores

 

KNH3206A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KNH3206A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 185 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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KNH3206A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  kia
 knd3206a knb3206a knp3206a knh3206a.pdf pdf_icon

KNH3206A

110A60VN-CHANNELMOSFETKNX3206AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =6.5m(typ)@V =10VDS(ON) GS LowR to Minimize Conductive LossDS(ON) LowGate Charge for Fast SwitchingApplication OptimizedB CapabilityVDSS2. Applications Power Supply DC-DCconverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 7

 8.1. Size:442K  kia
 knd3208a knb3208a knp3208a knh3208a.pdf pdf_icon

KNH3206A

100A85VKNX3208AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =6.5m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 D

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History: SMG2301

 

 
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