KNH3206A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNH3206A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 185 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO3P

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KNH3206A datasheet

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 knd3206a knb3206a knp3206a knh3206a.pdf pdf_icon

KNH3206A

110A 60V N-CHANNELMOSFET KNX3206A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =6.5m (typ)@V =10V DS(ON) GS LowR to Minimize Conductive Loss DS(ON) LowGate Charge for Fast SwitchingApplication OptimizedB Capability VDSS 2. Applications Power Supply DC-DCconverters 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1of 7

 8.1. Size:442K  kia
 knd3208a knb3208a knp3208a knh3208a.pdf pdf_icon

KNH3206A

100A 85V KNX3208A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =6.5m @V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 D

Otros transistores... JCS9N90WT, JS65R170ABM, JS65R170BM, JS65R170CM, JS65R170FM, JS65R170SM, JS65R170WM, KNH2910A, STP80NF70, KNH3208A, KNH3306A, KNH3725A, KNH7150A, KNH7650A, KNH9120A, KNH9130A, KNL42150A