KNH3206A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KNH3206A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для KNH3206A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNH3206A даташит

 ..1. Size:201K  kia
 knd3206a knb3206a knp3206a knh3206a.pdf pdf_icon

KNH3206A

110A 60V N-CHANNELMOSFET KNX3206A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =6.5m (typ)@V =10V DS(ON) GS LowR to Minimize Conductive Loss DS(ON) LowGate Charge for Fast SwitchingApplication OptimizedB Capability VDSS 2. Applications Power Supply DC-DCconverters 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1of 7

 8.1. Size:442K  kia
 knd3208a knb3208a knp3208a knh3208a.pdf pdf_icon

KNH3206A

100A 85V KNX3208A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =6.5m @V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 D

Другие IGBT... JCS9N90WT, JS65R170ABM, JS65R170BM, JS65R170CM, JS65R170FM, JS65R170SM, JS65R170WM, KNH2910A, STP80NF70, KNH3208A, KNH3306A, KNH3725A, KNH7150A, KNH7650A, KNH9120A, KNH9130A, KNL42150A