KNH9130A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KNH9130A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 95 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNH9130A

KNH9130A Datasheet (PDF)

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knp9130a knh9130a.pdf

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9.1. Size:444K kia
knp9120a knh9120a.pdf

40A200VN-CHANNELMOSFETKNX9120AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Proprietary NewPlanar Technology RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=10V LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2. Application DC-DCConverters DC-ACInverters for UPS SMPSand Motor controls3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra

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Liste

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