KNP2708A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNP2708A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de KNP2708A MOSFET
KNP2708A Datasheet (PDF)
knp2708a knb2708a.pdf

160A80VKNX2708AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.0m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 D
Otros transistores... KNH3725A , KNH7150A , KNH7650A , KNH9120A , KNH9130A , KNL42150A , KNP1906A , KNP2404A , SKD502T , KNP2803A , KNP2804A , KNP2804C , KNP2910A , KNP2915A , KNP3204A , KNP3206A , KNP3208A .
History: SPB80N06S2L-09 | STL11N3LLH6 | STB15NM60N | WMK028N10HGS | SIR876ADP | SI4435DY | HB3710P
History: SPB80N06S2L-09 | STL11N3LLH6 | STB15NM60N | WMK028N10HGS | SIR876ADP | SI4435DY | HB3710P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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