KNP2910A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNP2910A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO220

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KNP2910A datasheet

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KNP2910A

130A 100V KNX2910A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching 2. Features R =5.0m @V =10 V DS(on) GS Super high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant) 3. Pinconfiguratio

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KNP2910A

130A 150V N-CHANNELMOSFET KNX2915A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features RDS(ON)=10m ( typ.)@VGS=10V Uses CRM(CQ) advancedTrench technology Extremely lowon-resistance RDS(on) Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Qualified according to JEDECcriteria 2. Application Motor control and drive Battery management UPS(UninterrupiblePower Supplies)

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KNP2910A

130A 150V N-CHANNEL MOSFET KNX2915A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features RDS(ON)= 10m ( typ.)@ VGS=10V Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Extremely low on-resistance RDS(on) Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Qualified according to JEDEC criteria 2. Application Motor control and drive Battery management UPS

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