KNP2910A Todos los transistores

 

KNP2910A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KNP2910A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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KNP2910A Datasheet (PDF)

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KNP2910A

130A100VKNX2910AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching2. Features R =5.0m @V =10 VDS(on) GSSuper high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant)3. Pinconfiguratio

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KNP2910A

130A150VN-CHANNELMOSFET KNX2915AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)=10m( typ.)@VGS=10V Uses CRM(CQ) advancedTrench technology Extremely lowon-resistance RDS(on) Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Qualified according to JEDECcriteria2. Application Motor control and drive Battery management UPS(UninterrupiblePower Supplies)

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KNP2910A

130A150VN-CHANNEL MOSFET KNX2915AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)= 10m( typ.)@ VGS=10V Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Extremely low on-resistance RDS(on) Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Qualified according to JEDEC criteria2. Application Motor control and drive Battery management UPS

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History: WMO40N04TS | ST3400SRG | IRFB3507PBF | NTR0202PLT1 | NCEP060N10D | IRLB3036GPBF | RJ1G12BGN

 

 
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