KNP6650A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNP6650A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 140 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 46 nC
Tiempo de subida (tr): 28 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 208 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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KNP6650A Datasheet (PDF)
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15A500VN-CHANNELMOSFET KNX6650AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS`1. DescriptionTheKNX6650A-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage,high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, activepower factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology2. Fea
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