KNP7150A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNP7150A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 175 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 65 nC
Tiempo de subida (tr): 76 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 255 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNP7150A
KNP7150A Datasheet (PDF)
knp7150a knf7150a.pdf
20A500VKNX7150AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.24@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Adaptor Charger SMPSPower Supply LCDPanel Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra
knp7150a knf7150a knh7150a.pdf
20A500VKNX7150AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.24@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Adaptor Charger SMPSPower Supply LCDPanel Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .