KNP7150A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KNP7150A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 175 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
Время нарастания (tr): 76 ns
Выходная емкость (Cd): 255 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220
KNP7150A Datasheet (PDF)
knp7150a knf7150a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
20A500VKNX7150AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.24@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Adaptor Charger SMPSPower Supply LCDPanel Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra
knp7150a knf7150a knh7150a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
20A500VKNX7150AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.24@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Adaptor Charger SMPSPower Supply LCDPanel Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .