KNY3303A Todos los transistores

 

KNY3303A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNY3303A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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KNY3303A datasheet

 ..1. Size:303K  1
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KNY3303A

90A 30V KNX3303A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR S S 1.Description This Power MOSFET is produced using KIA s advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation m

 ..2. Size:303K  kia
 kng3303a kny3303a.pdf pdf_icon

KNY3303A

90A 30V KNX3303A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR S S 1.Description This Power MOSFET is produced using KIA s advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation m

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History: ME2306A | SM3319NSQG | AP4506GEM-HF | DH012N03D

 

 

 

 

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