KNY3303A Todos los transistores

 

KNY3303A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KNY3303A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

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KNY3303A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  1
kny3303a.pdf

KNY3303A
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90A30VKNX3303AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSS1.DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIA`s advanced planar stripe DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation m

 ..2. Size:303K  kia
kng3303a kny3303a.pdf

KNY3303A
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90A30VKNX3303AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSS1.DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIA`s advanced planar stripe DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation m

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