2N6760JTXV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6760JTXV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO204
Búsqueda de reemplazo de 2N6760JTXV MOSFET
2N6760JTXV Datasheet (PDF)
2n6760 irf330.pdf

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History: 2SJ209 | IRF1404 | AOTS21319C | IRFB3077PBF | HFD5N65S | IXFT21N50F | IRF530NS
History: 2SJ209 | IRF1404 | AOTS21319C | IRFB3077PBF | HFD5N65S | IXFT21N50F | IRF530NS



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