L2N7002KLT1G Todos los transistores

 

L2N7002KLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: L2N7002KLT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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L2N7002KLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:778K  lrc
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L2N7002KLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Small Signal MOSFET L2N7002KLT1G380 mAmps, 60 Volts NChannel SOT23 S-L2N7002KLT1GFEATURES31)ESD Protected2)Low RDS(on)13)Surface Mount Package24)This is a Pb-Free Device5)We declare that the material of product compliant withSOT23RoHS requirements and Halogen Free.6) S- Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUn

 6.1. Size:722K  lrc
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L2N7002KLT1G

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L2N7002KLT1G

L2N7002KDW1T1GS-L2N7002KDW1T1GSmall Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NChannel SC-881. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable.ESD Protected2. D

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L2N7002KLT1G

JMTL2N7002KSDescriptionJMT N-channel MOSFETFeatures Application V =60V, I =0.3A Battery Operated SystemsDS DR

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History: SM6536D1RL | HY18N20T | AP50WN650I | R6509KNJ | FQD50P06 | HAF2012S

 

 
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