SLD5N50S2 Todos los transistores

 

SLD5N50S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLD5N50S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SLD5N50S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  maple semi
 sld5n50s2 slu5n50s2.pdf pdf_icon

SLD5N50S2

LEAD FREEPbRoHSSLD5N50S2 / SLU5N50S2500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 5A, 500V, RDS(on) typ. = 1.35@VGS = 10 V( ) ypadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 10 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide super

 9.1. Size:463K  maple semi
 sld5n65s slu5n65s.pdf pdf_icon

SLD5N50S2

SLD5N65S / SLU5N65SSLD5N65S / SLU5N65S650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 4.5A, 650V, RDS(on) = 2.5@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 13.3nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching

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History: SSM6K06FU | OSG65R900AF | LNND04R120 | P4004ED

 

 
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