Справочник MOSFET. SLD5N50S2

 

SLD5N50S2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLD5N50S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SLD5N50S2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD5N50S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  maple semi
 sld5n50s2 slu5n50s2.pdf pdf_icon

SLD5N50S2

LEAD FREEPbRoHSSLD5N50S2 / SLU5N50S2500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 5A, 500V, RDS(on) typ. = 1.35@VGS = 10 V( ) ypadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 10 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide super

 9.1. Size:463K  maple semi
 sld5n65s slu5n65s.pdf pdf_icon

SLD5N50S2

SLD5N65S / SLU5N65SSLD5N65S / SLU5N65S650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 4.5A, 650V, RDS(on) = 2.5@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 13.3nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.