SLU60R650S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLU60R650S2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 26 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLU60R650S2
SLU60R650S2 Datasheet (PDF)
sld60r650s2 slu60r650s2.pdf
SLD60R650S2/SLU60R650S2600V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 7A, 600V, RDS(on)typ= 0.48@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingper
sld60r380s2 slu60r380s2.pdf
SLD60R380S2/SLU60R380S2600V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 11A, 600V, RDS(on)typ= 0.3@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 22nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingper
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