SLU60R650S2 - описание и поиск аналогов

 

SLU60R650S2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLU60R650S2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SLU60R650S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLU60R650S2 даташит

 ..1. Size:1010K  maple semi
 sld60r650s2 slu60r650s2.pdf pdf_icon

SLU60R650S2

SLD60R650S2/SLU60R650S2 600V N-channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 7A, 600V, RDS(on)typ= 0.48 @VGS = 10 V Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 16nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize conduction loss, provide superior switching - Fast switching per

 8.1. Size:1022K  maple semi
 sld60r380s2 slu60r380s2.pdf pdf_icon

SLU60R650S2

SLD60R380S2/SLU60R380S2 600V N-channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 11A, 600V, RDS(on)typ= 0.3 @VGS = 10 V Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 22nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize conduction loss, provide superior switching - Fast switching per

Другие MOSFET... SLD3101 , SLD5N50S2 , SLU5N50S2 , SLD5N65S , SLU5N65S , SLD60R380S2 , SLU60R380S2 , SLD60R650S2 , IRFB3607 , SLD65R420S2 , SLU65R420S2 , SLD65R700S2 , SLU65R700S2 , SLD65R950S2 , SLD70R420S2 , SLU70R420S2 , SLD70R600S2 .

History: B5N50 | B4N60 | AOCA33104E | B2N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.