STK16N10L Todos los transistores

 

STK16N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK16N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT82
 

 Búsqueda de reemplazo de STK16N10L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STK16N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  st
stk16n10l.pdf pdf_icon

STK16N10L

Otros transistores... STHV102FI , STHV82 , STHV82FI , STK12N05L , STK12N06L , STK14N05 , STK14N06 , STK14N10 , IRFP460 , STK17N10 , STK18N05 , STK18N05L , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L .

History: IXFN44N80 | STK14N05

 

 
Back to Top

 


History: IXFN44N80 | STK14N05

STK16N10L
  STK16N10L
  STK16N10L
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP80P06D | AP80P04NF | AP80P04D | AP80N07F | AP80N07D | AP80N06NF | AP80N04DF | AP80N04D | AP80N03NF | AP80N03DF | AP80N03D | AP80N02NF | AP80N02DF | AP7P15Y | AP7P15D | APG130N06NF

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg

 


 
.