STK16N10L - описание и поиск аналогов

STK16N10L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STK16N10L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: SOT82

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам