SLH60R080SS Todos los transistores

 

SLH60R080SS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLH60R080SS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 290 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 47 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 88 nC
   Tiempo de subida (tr): 120 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2399 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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SLH60R080SS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  maple semi
slh60r080ss.pdf

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SLH60R080SS 600V N-Channel MOSFET FeaturesGeneral Description Features - 47A, 600V, RDS(on) typ.= 68m@VGS =10 V This Power MOSFET is produced using Maple semis Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 88nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - High ruggedness - Low gate charge ( typic

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