SLH60R080SS Todos los transistores

 

SLH60R080SS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLH60R080SS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2399 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SLH60R080SS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  maple semi
 slh60r080ss.pdf pdf_icon

SLH60R080SS

SLH60R080SS 600V N-Channel MOSFET FeaturesGeneral Description Features - 47A, 600V, RDS(on) typ.= 68m@VGS =10 V This Power MOSFET is produced using Maple semis Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 88nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - High ruggedness - Low gate charge ( typic

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History: TPD65R750C

 

 
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