SLP13N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLP13N50A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 32.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 153 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SLP13N50A Datasheet (PDF)
slp13n50a slf13n50a.pdf
LEAD FREEPbRoHSSLP13N50A / SLF13N50A500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis advanced planar stripe DMOS technology. - 13A, 500V, RDS(on) = 0.483@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - Low gate charge ( typical 19.1nC)to minimize on-state resistance, provide superior switching - Low Crss (
slp13n50c slf13n50c.pdf
SLP13N50C / SLF13N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 13A, 500V, RDS(on)typ. = 386m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
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