SLP20N50C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLP20N50C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 264 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 357 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.264 Ohm

Encapsulados: TO220

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SLP20N50C datasheet

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SLP20N50C

SLP20N50C / SLF20N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 20A, 500V, RDS(on)typ. = 220m @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 74.5nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchi

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