SLP20N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLP20N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 264 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 74.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 357 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.264 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLP20N50C
SLP20N50C Datasheet (PDF)
slp20n50c slf20n50c.pdf
SLP20N50C / SLF20N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 20A, 500V, RDS(on)typ. = 220m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 74.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchi
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Liste
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