SLP65R420S2 Todos los transistores

 

SLP65R420S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLP65R420S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SLP65R420S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  maple semi
 slp65r420s2 slf65r420s2.pdf pdf_icon

SLP65R420S2

SLP65R420S2/SLF65R420S2650V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 11A, 650V, RDS(on)typ= 0.33@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 23nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingpe

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History: 10N60L-TF1-T | PSMN6R7-40MSD | ET6303 | IXFN420N10T | IXFT94N30T

 

 
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