SLP65R420S2 Todos los transistores

 

SLP65R420S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLP65R420S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 92 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 23 nC
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 37 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SLP65R420S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  maple semi
slp65r420s2 slf65r420s2.pdf

SLP65R420S2 SLP65R420S2

SLP65R420S2/SLF65R420S2650V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 11A, 650V, RDS(on)typ= 0.33@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 23nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingpe

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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