STK22N06 Todos los transistores

 

STK22N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK22N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT82

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STK22N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  st
 stk22n06.pdf

STK22N06 STK22N06

STK22N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK22N06 60 V

 7.1. Size:185K  st
 stk22n05.pdf

STK22N06 STK22N06

STK22N05N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK22N05 50 V

 8.1. Size:831K  st
 stk22n6f3.pdf

STK22N06 STK22N06

STK22N6F3N-channel 60 V, 0.0055 , 22 A, PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) maxSTK22N6F3 60 V

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