STK22N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK22N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT82
- Selección de transistores por parámetros
STK22N06 Datasheet (PDF)
stk22n06.pdf
STK22N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK22N06 60 V
stk22n05.pdf
STK22N05N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK22N05 50 V
stk22n6f3.pdf
STK22N6F3N-channel 60 V, 0.0055 , 22 A, PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) maxSTK22N6F3 60 V
Otros transistores... STK14N10 , STK16N10L , STK17N10 , STK18N05 , STK18N05L , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , IRF3710 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , STK2NA60 , STK3055E , STK3N50 , STK3NA50 .
History: VS3620DP-G | 2SJ152
History: VS3620DP-G | 2SJ152
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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