STK22N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STK22N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOT82
Аналог (замена) для STK22N06
STK22N06 Datasheet (PDF)
..1. Size:183K st
stk22n06.pdf
stk22n06.pdf
STK22N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK22N06 60 V
7.1. Size:185K st
stk22n05.pdf
stk22n05.pdf
STK22N05N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK22N05 50 V
8.1. Size:831K st
stk22n6f3.pdf
stk22n6f3.pdf
STK22N6F3N-channel 60 V, 0.0055 , 22 A, PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) maxSTK22N6F3 60 V
Другие MOSFET... STK14N10 , STK16N10L , STK17N10 , STK18N05 , STK18N05L , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , 10N60 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , STK2NA60 , STK3055E , STK3N50 , STK3NA50 .
History: IRF830A | IXFN100N25 | APT1001RAN
History: IRF830A | IXFN100N25 | APT1001RAN
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250